【半導体】米国ヒューレット・パッカードが韓国ハイニックスと新型素子「メモリスタ」の共同開発契約を締結[2010/09/02]

1 ：依頼＠芋の煮っ転がされφφ ★：2010/09/07(火) 05:58:23 ID:???

ヒューレット・パッカード（HP）は、2010年8月31日、韓国のハイニックスセミコンダクターと新型素子である
「メモリスタ」（memristor）の製品化に向けた共同開発契約を結んだ。

HPが開発したメモリスタ技術は技術開発段階にある。メモリスタをReRAM（Resistive RAM、抵抗変化
メモリ）として製品化するために、両社は共同で新材料の開発と製造技術を開発する予定だ。

HPによれば今回の契約は非独占的であるという。ReRAMの開発に関してハイニックスセミコンダクター
以外と組む可能性があるともいう。

同社のシニアフェロー兼HP Labs内に置かれたInformation and Quantum Systems Laboratoryのファ
ウンディングディレクタであるStan Williamsによれば、HPが自らReRAM関連のビジネスを始めるつもりは
ないという。

Williams氏はEE Times誌に対して、今後明らかにする自社の製品にReRAMを採用したいと述べた。
当初は素子の開発でハイニックスセミコンダクターと組み、その後、ほかのメモリメーカーとも製品化を進
めたいということだ。Williams氏によれば、ReRAMの低価格化を進めて広く採用を促すにはこのような
方針が有効なのだという。

ハイニックスセミコンダクターは自社の先進的な研究所でメモリスタ技術を実装するが、メモリスタ（ReRA
M）にのみ投資しているわけではない。ReRAMと競合する幾つかの不揮発メモリ技術の研究開発も続
けている。

例えばハイニックスセミコンダクターとサムスンエレクトロニクスは不揮発メモリであるMRAMについて共同
開発中である。MRAMの中でも微細化に向くスピントルク型のMRAMの研究開発も共同で進めている。

FeRAMやMRAP、PRAM（PCM）、ReRAMは次世代メモリ技術として脚光を浴びている。ReRAMは
不揮発メモリの中でも消費電力が少なくなることに特長があり、NAND型フラッシュメモリを置き換える
潜在能力を備えている。HPはさらに汎用メモリとしてReRAMをとらえており、NAND型フラッシュメモリ以
外にもDRAMやハードディスク装置の置き換えが可能だとした。

※以下を省略します。続きはソースを御覧ください。

■ソース
EE Times Japan( http://www.eetimes.jp/ )[2010/09/02]
http://www.eetimes.jp/news/4216